Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI2367DS-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5999522

SI2367DS-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.16
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI2367DS-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI2367DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    960mW (Ta), 1.7W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    SI2367DS-T1-GE3-ND
    SI2367DS-T1-GE3TR
    SI2367DST1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    561pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 8V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.8V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI2367DS-T1-GE3“.
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Popis: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI2400-FS

SI2400-FS

Popis: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.