Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI2309CDS-T1-E3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2684454

SI2309CDS-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.214
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI2309CDS-T1-E3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI2309CDS-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    345 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    SI2309CDS-T1-E3-ND
    SI2309CDS-T1-E3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    4.1nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    P-Channel 60V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Tc)
  • Číslo základní části
    SI2309

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI2309CDS-T1-E3“.
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Popis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Popis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Popis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.