SI1062X-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.092

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI1062X-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 20V SC-89
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI1062X-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

SC-89-3
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Ztráta energie (Max)

220mW (Ta)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

SC-89, SOT-490
Ostatní jména

SI1062X-T1-GE3TR
SI1062XT1GE3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

1.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

N-Channel 20V 220mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

-

Následuje produkty související s „SI1062X-T1-GE3“.

SI1067X-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1056X-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1063-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1067X-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1065X-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1064-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1058X-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1062-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1065-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1058X-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V SC89

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1060-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1056X-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1062-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1065-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1060-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1064-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1061-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1065X-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SI1063-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

SI1061-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

SI1062X-T1-GE3

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

SI1067X-T1-GE3

SI1056X-T1-E3

SI1063-A-GM

SI1067X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

SI1064-A-GMR

SI1058X-T1-E3

SI1062-A-GM

SI1065-A-GM

SI1058X-T1-GE3

SI1060-A-GMR

SI1056X-T1-GE3

SI1062-A-GMR

SI1065-A-GMR

SI1060-A-GM

SI1064-A-GM

SI1061-A-GMR

SI1065X-T1-GE3

SI1063-A-GMR

SI1061-A-GM

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk