Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI1013CX-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5907559SI1013CX-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1013CX-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.64
10+
$0.458
100+
$0.27
500+
$0.153
1000+
$0.117
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI1013CX-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI1013CX-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    760 mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    190mW (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    SC-89, SOT-490
  • Ostatní jména
    SI1013CX-T1-GE3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    45pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    P-Channel 20V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    450mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI1013CX-T1-GE3“.
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1012-TP

SI1012-TP

Popis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Popis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.