Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > ESH1D-M3/5AT
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3526757ESH1D-M3/5AT Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

ESH1D-M3/5AT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
15000+
$0.142
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ESH1D-M3/5AT
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    900mV @ 1A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-214AC (SMA)
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    25ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-214AC, SMA
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    1A
  • Kapacitní @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
ESH1D-E3/61T

ESH1D-E3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1GM RSG

ESH1GM RSG

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A MICRO SMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1DHE3_A/H

ESH1DHE3_A/H

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1DM RSG

ESH1DM RSG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1JM RSG

ESH1JM RSG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1D-M3/61T

ESH1D-M3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1PA-M3/84A

ESH1PA-M3/84A

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1DHE3/61T

ESH1DHE3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1DHE3_A/I

ESH1DHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1D R3G

ESH1D R3G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ESH1PA-E3/85A

ESH1PA-E3/85A

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení