1N5418-TAP

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

12500+

$0.364

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5418-TAP
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

1N5418-TAP.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1.5V @ 9A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

400V
Dodavatel zařízení Package

SOD-64
Rychlost

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

100ns
Obal

Tape & Box (TB)
Paket / krabice

SOD-64, Axial
Provozní teplota - spojení

-55°C ~ 175°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Diode Type

Avalanche
Detailní popis

Diode Avalanche 400V 3A Through Hole SOD-64
Proud - zpìtný únikový @ Vr

1µA @ 200V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

3A
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „1N5418-TAP“.

1N5417-TAP

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N5419

Popis: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5420

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5419US

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5419

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5417

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5415US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5417TR

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N5417C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5420US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5418TR

Popis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N5418

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5416US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5418US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5418C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5420

Popis: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5419E3

Popis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5415

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5416

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5417US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5418-TAP

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

1N5417-TAP

1N5419

1N5420

1N5419US

1N5419

1N5417

1N5415US

1N5417TR

1N5417C.TR

1N5420US

1N5418TR

1N5418

1N5416US

1N5418US

1N5418C.TR

1N5420

1N5419E3

1N5415

1N5416

1N5417US

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk