Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXM66P02N8TA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5495204ZXM66P02N8TA Image.Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXM66P02N8TA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ZXM66P02N8TA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    1.56W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    ZXM66P02N8TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2068pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    43.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6.4A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXM66P02N8TA“.
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P02XTA

ZXM64P02XTA

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3A17DN8TC

ZXMC3A17DN8TC

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P035L3

ZXM64P035L3

Popis: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P035GTA

ZXM64P035GTA

Popis: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM66N02N8TA

ZXM66N02N8TA

Popis: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N03XTC

ZXM64N03XTC

Popis: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

Popis: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM66N03N8TA

ZXM66N03N8TA

Popis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64P02XTC

ZXM64P02XTC

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

Popis: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Popis: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.