Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXM62N03E6TA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5118192ZXM62N03E6TA Image.Diodes Incorporated

ZXM62N03E6TA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXM62N03E6TA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    ZXM62N03E6TA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-6
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.1W (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    SOT-23-6
  • Ostatní jména
    ZXM62N03E6DKR
  • Provozní teplota
    -
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXM62N03E6TA“.
ZXM61N03FTC

ZXM61N03FTC

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM41N10FTA

ZXM41N10FTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62N03GTA

ZXM62N03GTA

Popis: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P03FTC

ZXM61P03FTC

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N02FTC

ZXM61N02FTC

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM63N02E6TA

ZXM63N02E6TA

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03GTA

ZXM62P03GTA

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N035GTA

ZXM64N035GTA

Popis: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM41N10FTC

ZXM41N10FTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N02XTC

ZXM64N02XTC

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.