Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXM61N02FTA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1230712ZXM61N02FTA Image.Diodes Incorporated

ZXM61N02FTA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.55
10+
$0.46
100+
$0.345
500+
$0.253
1000+
$0.196
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXM61N02FTA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ZXM61N02FTA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 930mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    625mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    ZXM61N02F
    ZXM61N02FCT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    160pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    3.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.7V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXM61N02FTA“.
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N03FTC

ZXM61N03FTC

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03GTA

ZXM62P03GTA

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM63N02E6TA

ZXM63N02E6TA

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P03FTC

ZXM61P03FTC

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N035GTA

ZXM64N035GTA

Popis: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62N03GTA

ZXM62N03GTA

Popis: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N02XTC

ZXM64N02XTC

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N02FTC

ZXM61N02FTC

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM41N10FTC

ZXM41N10FTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXM41N10FTA

ZXM41N10FTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.