Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH8012LPSQ-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6502135DMTH8012LPSQ-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.45
10+
$1.285
100+
$1.016
500+
$0.788
1000+
$0.622
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH8012LPSQ-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH8012LPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI5060-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.6W (Ta), 136W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    DMTH8012LPSQ-13DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2051pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    46.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 72A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH8012LPSQ-13“.
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTX-19V15W-EZ-SYS

DMTX-19V15W-EZ-SYS

Popis: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Popis: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Popis: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTT-650

DMTT-650

Popis: XFRMR LAMINATED 650VA CHAS MOUNT

Výrobci: Bel
Na skladě
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Popis: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Výrobci: Bel
Na skladě
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Popis: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

Výrobci: Bel
Na skladě
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.