Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH6010SK3-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5809350DMTH6010SK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH6010SK3-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.515
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH6010SK3-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 16.3A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH6010SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    DMTH6010SK3-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    16.3A (Ta), 70A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH6010SK3-13“.
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Popis: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Popis: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Popis: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.