Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT3009LFVW-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4731605DMT3009LFVW-7 Image.Diodes Incorporated

DMT3009LFVW-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$0.253
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT3009LFVW-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMT3009LFVW-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI3333-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.3W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    823pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    3.8V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 50A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT3009LFVW-7“.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Popis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Popis: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Popis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Popis: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Popis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Popis: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Popis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.