Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMNH4006SK3-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1222484DMNH4006SK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMNH4006SK3-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.956
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMNH4006SK3-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 18A TO252
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMNH4006SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252, (D-Pak)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 86A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.2W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    DMNH4006SK3-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2280pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta), 90A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMNH4006SK3-13“.
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Popis: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Popis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Popis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Popis: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Popis: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Popis: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Popis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Popis: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Popis: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.