Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMNH10H028SK3Q-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1844589DMNH10H028SK3Q-13 Image.Diodes Incorporated

DMNH10H028SK3Q-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.869
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMNH10H028SK3Q-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 55A TO252
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMNH10H028SK3Q-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    DMNH10H028SK3Q-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2245pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    55A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMNH10H028SK3Q-13“.
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Popis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Popis: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Popis: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Popis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Popis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Popis: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Popis: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Popis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNF2-63FIB-C

DMNF2-63FIB-C

Popis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Popis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Popis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Popis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Popis: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.