Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN63D8LW-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
7060741DMN63D8LW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN63D8LW-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.045
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN63D8LW-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN63D8LW-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-323
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-70, SOT-323
  • Ostatní jména
    DMN63D8LW-7DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    23.2pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 380mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    380mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN63D8LW-7“.
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.