Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN63D1LDW-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5666637DMN63D1LDW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.101
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN63D1LDW-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN63D1LDW-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Power - Max
    310mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-23
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    250mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN63D1LDW-7“.
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Popis: MOSFET N-CH 100V SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Popis: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.