Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN61D8LVTQ-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3423864DMN61D8LVTQ-7 Image.Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.60
10+
$0.507
100+
$0.38
500+
$0.279
1000+
$0.215
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN61D8LVTQ-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN61D8LVTQ-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 1mA
  • Dodavatel zařízení Package
    TSOT-26
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • Power - Max
    820mW
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Ostatní jména
    DMN61D8LVTQ-7DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    630mA

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN61D8LVTQ-7“.
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Popis: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.