Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN53D0LDW-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2714716DMN53D0LDW-13 Image.Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.056
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN53D0LDW-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN53D0LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-363
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Power - Max
    310mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Ostatní jména
    DMN53D0LDW-13DI
    DMN53D0LDW-13DI-ND
    DMN53D0LDW-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    50V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    360mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN53D0LDW-13“.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Popis: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Popis: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Popis: MOSFET N-CH 50V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Popis: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.