Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN4800LSSQ-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4739355DMN4800LSSQ-13 Image.Diodes Incorporated

DMN4800LSSQ-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.205
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN4800LSSQ-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN4800LSSQ-13.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 9A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.46W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    DMN4800LSSQ-13DI
    DMN4800LSSQ-13DI-ND
    DMN4800LSSQ-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    28 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    8.6A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN4800LSSQ-13“.
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Popis: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Popis: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Popis: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Popis: MOSFET N-CH 50V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.