Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN30H4D0LFDE-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4105905DMN30H4D0LFDE-7 Image.Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.202
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN30H4D0LFDE-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN30H4D0LFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 300mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    630mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-UDFN Exposed Pad
  • Ostatní jména
    DMN30H4D0LFDE-7DITR
    DMN30H4D0LFDE7
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    187.3pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    7.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.7V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    300V
  • Detailní popis
    N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    550mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN30H4D0LFDE-7“.
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Popis: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Popis: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Popis: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Popis: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Popis: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Popis: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.