Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN3009SFGQ-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2937486DMN3009SFGQ-7 Image.Diodes Incorporated

DMN3009SFGQ-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$0.453
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN3009SFGQ-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMN3009SFGQ-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI3333-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    900mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    DMN3009SFGQ-7DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2nF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta), 45A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN3009SFGQ-7“.
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Popis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Popis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Popis: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Popis: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Popis: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.