Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN2400UFD-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4304395DMN2400UFD-7 Image.Diodes Incorporated

DMN2400UFD-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.53
10+
$0.372
100+
$0.244
500+
$0.144
1000+
$0.111
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN2400UFD-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN2400UFD-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    X1-DFN1212-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    400mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    3-UDFN
  • Ostatní jména
    DMN2400UFD-7DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    37pF @ 16V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    500nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    900mA (Ta)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN2400UFD-7“.
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Popis: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Popis: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Popis: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.