Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN2080UCB4-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4028009

DMN2080UCB4-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.142
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN2080UCB4-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN2080UCB4-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    X2-WLB0808-4
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    56 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    710mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    4-XFBGA, WLBGA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN2080UCB4-7“.
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2058U-7

DMN2058U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2056U-13

DMN2056U-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Popis: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Popis: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Popis: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Popis: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Popis: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.