Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN10H170SFDE-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5528276

DMN10H170SFDE-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.216
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN10H170SFDE-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN10H170SFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    660mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-UDFN Exposed Pad
  • Ostatní jména
    DMN10H170SFDE-7DI
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN10H170SFDE-7“.
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Popis: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Popis: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Popis: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.