Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN1002UCA6-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1147272

DMN1002UCA6-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.15
10+
$1.005
100+
$0.775
500+
$0.574
1000+
$0.459
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN1002UCA6-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN1002UCA6-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Power - Max
    1.1W
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    6-SMD, No Lead
  • Ostatní jména
    DMN1002UCA6-7DIDKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    68.6nC @ 4V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    -
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.1W Surface Mount
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    -

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN1002UCA6-7“.
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Popis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Popis: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Popis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Popis: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Popis: MOSFET N-CH30V SC-59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Popis: MOSFET N-CH30V SC-59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Popis: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Popis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Popis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Popis: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.