1N4150 TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

$0.57

10+

$0.399

100+

$0.262

500+

$0.155

1000+

$0.119

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N4150 TR
Výrobce / značka

Central Semiconductor
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

1N4150 TR.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1V @ 200mA
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

50V
Dodavatel zařízení Package

DO-35
Rychlost

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

6ns
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

DO-204AH, DO-35, Axial
Ostatní jména

1N4150 CT
1N4150 CT-ND
1N4150CSCT
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 200°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

21 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Proud - zpìtný únikový @ Vr

100nA @ 50V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

200mA
Kapacitní @ Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N4150 TR“.

1N4150-1

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N4148_S00Z

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4150

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4148_NT50A

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4150TR

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4150TAP

Popis: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N4149

Popis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N4150W-G3-18

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

1N4149TR

Popis: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N4150W-E3-08

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N4150 TR

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

1N4150-1

1N4148_S00Z

1N4150

1N4148_NT50A

1N4150TR

1N4150TAP

1N4149

1N4150W-G3-18

1N4149TR

1N4150W-E3-08

1N4150UR-1

1N4148_L99Z

1N4149_T50R

1N4148_S62Z

1N4150W-E3-18

1N4150TR_S00Z

1N4148_T26R

1N4150TR

1N4149

1N4150W-G3-08

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk