Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFET - RF > NE3513M04-T2B-A
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1698336

NE3513M04-T2B-A

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NE3513M04-T2B-A
  • Výrobce / značka
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NE3513M04-T2B-A.pdf
  • Napětí - Test
    2V
  • Napětí - Jmenovitá
    4V
  • Transistor Type
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Dodavatel zařízení Package
    4-Super Mini Mold
  • Série
    -
  • Power - Výstup
    125mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    4-SMD, Flat Leads
  • hluk Obrázek
    0.65dB
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Získat
    13dB
  • Frekvence
    12GHz
  • Detailní popis
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
  • Jmenovitá hodnota proudu
    60mA
  • Aktuální - Test
    10mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NE3513M04-T2B-A“.
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Popis: EVAL DEV RF NE3509M04

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Popis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Popis: FET RF 4V 20GHZ S03

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Popis: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Popis: FET RF 4V 20GHZ S03

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Popis: HJ-FET NCH 10DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Popis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Popis: FET RF 4V 20GHZ S03

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Popis: FET RF 4V 4GHZ M04

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Popis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Popis: HJ-FET NCH 10DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Popis: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Popis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Popis: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

Popis: FET RF 4V 4GHZ M04

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Popis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3511S02-A

NE3511S02-A

Popis: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Popis: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Popis: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Popis: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.