BLF6G10LS-160,112

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

BLF6G10LS-160,112
Výrobce / značka

Ampleon
Množství zásob

Na skladě
Popis

RF FET LDMOS SOT502B
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Transistor Type

LDMOS
Dodavatel zařízení Package

SOT502B
Série

-
Power - Výstup

-
Obal

Tray
Paket / krabice

SOT-502B
Ostatní jména

934060894112
BLF6G10LS-160
BLF6G10LS-160-ND
hluk Obrázek

-
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Získat

-
Frekvence

-
Detailní popis

RF Mosfet LDMOS SOT502B
Jmenovitá hodnota proudu

-
Číslo základní části

BLF6G10

Následuje produkty související s „BLF6G10LS-160,112“.

BLF6G10LS-135RN:11

Popis: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-260PRN,11

Popis: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200RN:11

Popis: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-160RN,11

Popis: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-135R,118

Popis: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-260PRN:11

Popis: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-160,118

Popis: RF FET LDMOS SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200,112

Popis: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-260PRN,1

Popis: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-135RN,11

Popis: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-135R,112

Popis: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200,118

Popis: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-40BRN,118

Popis: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-260PBM,11

Popis: RF FET LDMOS 65V SOT1110A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-160RN:11

Popis: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-260PBM:11

Popis: RF FET LDMOS 65V SOT1110A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200RN,11

Popis: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200R,112

Popis: RF FET LDMOS 65V SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10LS-200R,118

Popis: RF FET LDMOS 65V SOT502B

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

BLF6G10L-40BRN,112

Popis: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Výrobci: Ampleon

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

BLF6G10LS-160,112

Žádost o nabídku

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

BLF6G10LS-135RN:11

BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10LS-200RN:11

BLF6G10LS-160RN,11

BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10L-260PRN:11

BLF6G10LS-160,118

BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-260PRN,1

BLF6G10LS-135RN,11

BLF6G10LS-135R,112

BLF6G10LS-200,118

BLF6G10L-40BRN,118

BLF6G10L-260PBM,11

BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10L-260PBM:11

BLF6G10LS-200RN,11

BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,118

BLF6G10L-40BRN,112

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk