Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C8M32S-7BCNTR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
789715AS4C8M32S-7BCNTR Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-7BCNTR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$4.633
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C8M32S-7BCNTR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    2ns
  • Napětí - Supply
    3 V ~ 3.6 V
  • Technika
    SDRAM
  • Dodavatel zařízení Package
    90-TFBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    90-TFBGA
  • Provozní teplota
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    256Mb (8M x 32)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frekvence hodin
    143MHz
  • přístupová doba
    5.4ns
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Popis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení