Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C8M16S-6TCN
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3505177AS4C8M16S-6TCN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-6TCN

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C8M16S-6TCN
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napište čas cyklu - slovo,
    2ns
  • Napětí - Supply
    3 V ~ 3.6 V
  • Technika
    SDRAM
  • Dodavatel zařízení Package
    54-TSOP II
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Ostatní jména
    1450-1162
    AS4C8M16S-6TCN-ND
  • Provozní teplota
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    128Mb (8M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Frekvence hodin
    166MHz
  • přístupová doba
    5ns
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6TIN

AS4C8M16S-6TIN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16SA-6BANTR

AS4C8M16SA-6BANTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení