Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C64M8D1-5TCN
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4268122AS4C64M8D1-5TCN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D1-5TCN

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
108+
$2.87
324+
$2.86
540+
$2.754
1080+
$2.619
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C64M8D1-5TCN
  • Výrobce / značka
    Alliance Memory, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    AS4C64M8D1-5TCN.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technika
    SDRAM - DDR
  • Dodavatel zařízení Package
    66-TSOP II
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Ostatní jména
    1450-1328
  • Provozní teplota
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    512Mb (64M x 8)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frekvence hodin
    200MHz
  • přístupová doba
    700ps

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „AS4C64M8D1-5TCN“.
AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D3-12BCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.