Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C32M16SB-7TIN
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4282800AS4C32M16SB-7TIN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16SB-7TIN

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$15.18
10+
$14.059
25+
$13.863
50+
$13.693
108+
$12.001
324+
$11.482
540+
$11.405
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C32M16SB-7TIN
  • Výrobce / značka
    Alliance Memory, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    AS4C32M16SB-7TIN.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    14ns
  • Napětí - Supply
    3 V ~ 3.6 V
  • Technika
    SDRAM
  • Dodavatel zařízení Package
    54-TSOP II
  • Série
    -
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Ostatní jména
    1450-1384
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    512Mb (32M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frekvence hodin
    143MHz
  • přístupová doba
    5.4ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „AS4C32M16SB-7TIN“.
AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7BINTR

AS4C32M16SA-7BINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Popis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SB-7TCNTR

AS4C32M16SB-7TCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.