Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C16M32MSA-6BINTR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1720011AS4C16M32MSA-6BINTR Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BINTR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$4.394
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C16M32MSA-6BINTR
  • Výrobce / značka
    Alliance Memory, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    AS4C16M32MSA-6BINTR.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technika
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Dodavatel zařízení Package
    90-FBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    90-VFBGA
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    512Mb (16M x 32)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Frekvence hodin
    166MHz
  • přístupová doba
    5.4ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „AS4C16M32MSA-6BINTR“.
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Popis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Popis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Popis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.