Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > ALD110908ASAL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6367575

ALD110908ASAL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$4.38
50+
$3.519
100+
$3.206
500+
$2.596
1000+
$2.19
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ALD110908ASAL
  • Výrobce / značka
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ALD110908ASAL.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    810mV @ 1µA
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOIC
  • Série
    EPAD®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 4.8V
  • Power - Max
    500mW
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    1014-1039
  • Provozní teplota
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    10.6V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12mA, 3mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ALD110908ASAL“.
ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1110ESAL

ALD1110ESAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1108ESCL

ALD1108ESCL

Popis: MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1115MAL

ALD1115MAL

Popis: MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110900SAL

ALD110900SAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110908SAL

ALD110908SAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110902PAL

ALD110902PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110914PAL

ALD110914PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1115PAL

ALD1115PAL

Popis: MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110914SAL

ALD110914SAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110904PAL

ALD110904PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1115SAL

ALD1115SAL

Popis: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110900APAL

ALD110900APAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD1116PAL

ALD1116PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110900PAL

ALD110900PAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110900ASAL

ALD110900ASAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110904SAL

ALD110904SAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
ALD110902SAL

ALD110902SAL

Popis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Výrobci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.