Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NVMFS5830NLT1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6451691NVMFS5830NLT1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5830NLT1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.31
10+
$2.087
100+
$1.677
500+
$1.304
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NVMFS5830NLT1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NVMFS5830NLT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.8W (Ta), 158W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    NVMFS5830NLT1GOSDKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    5880pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    113nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 29A (Ta) 3.8W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    29A (Ta)

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NVMFS5830NLT1G“.
NVMFS5832NLWFT3G

NVMFS5832NLWFT3G

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5826NLT3G

NVMFS5826NLT3G

Popis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5826NLWFT1G

NVMFS5826NLWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5113PLT1G

NVMFS5113PLT1G

Popis: MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS4C310NT3G

NVMFS4C310NT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5830NLT3G

NVMFS5830NLT3G

Popis: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5826NLT1G

NVMFS5826NLT1G

Popis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS4C310NWFT1G

NVMFS4C310NWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5826NLWFT3G

NVMFS5826NLWFT3G

Popis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5833NWFT1G

NVMFS5833NWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5833NT3G

NVMFS5833NT3G

Popis: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS4C310NT1G

NVMFS4C310NT1G

Popis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5833NT1G

NVMFS5833NT1G

Popis: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5832NLT3G

NVMFS5832NLT3G

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G

Popis: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5830NLWFT3G

NVMFS5830NLWFT3G

Popis: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS4C310NWFT3G

NVMFS4C310NWFT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVMFS5832NLWFT1G

NVMFS5832NLWFT1G

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.