Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NVGS4111PT1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
639054

NVGS4111PT1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.283
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NVGS4111PT1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NVGS4111PT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    6-TSOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    630mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    30 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NVGS4111PT1G“.
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Popis: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
EPC2203

EPC2203

Popis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Popis: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
STP160N75F3

STP160N75F3

Popis: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
STD2N105K5

STD2N105K5

Popis: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2

Popis: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

Popis: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
STD46N6F7

STD46N6F7

Popis: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
PMN52XPX

PMN52XPX

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Popis: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.