Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NVGS3130NT1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2850108

NVGS3130NT1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.496
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NVGS3130NT1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NVGS3130NT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    6-TSOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    600mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    30 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    935pF @ 16V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NVGS3130NT1G“.
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Popis: TRANSISTOR

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
NTMFS4962NFT3G

NTMFS4962NFT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Popis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Popis: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Popis: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NTD65N03R

NTD65N03R

Popis: MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Popis: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Popis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

Popis: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IRFIZ14G

IRFIZ14G

Popis: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
GKI07301

GKI07301

Popis: MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

Výrobci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.