Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NTD3808N-1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2572523NTD3808N-1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3808N-1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NTD3808N-1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NTD3808N-1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    I-PAK
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1660pF @ 12V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    16V
  • Detailní popis
    N-Channel 16V 12A (Ta), 76A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 76A (Tc)

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NTD3808N-1G“.
NTD40N03R-1G

NTD40N03R-1G

Popis: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06LG

NTD32N06LG

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06G

NTD32N06G

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06-1G

NTD32N06-1G

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06

NTD32N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06L-001

NTD32N06L-001

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3813N-35G

NTD3813N-35G

Popis: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06L

NTD32N06L

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3813N-1G

NTD3813N-1G

Popis: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3817NT4G

NTD3817NT4G

Popis: MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3813NT4G

NTD3813NT4G

Popis: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06LT4G

NTD32N06LT4G

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06-001

NTD32N06-001

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3808N-35G

NTD3808N-35G

Popis: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3817N-1G

NTD3817N-1G

Popis: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3808NT4G

NTD3808NT4G

Popis: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06T4G

NTD32N06T4G

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD40N03R-001

NTD40N03R-001

Popis: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD3817N-35G

NTD3817N-35G

Popis: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD32N06L-1G

NTD32N06L-1G

Popis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.