Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > NSBC123JDP6T5G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1219413NSBC123JDP6T5G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
8000+
$0.064
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NSBC123JDP6T5G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NSBC123JDP6T5G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-963
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    2.2 kOhms
  • Power - Max
    339mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-963
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    2 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    NSBC1*

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NSBC123JDP6T5G“.
NSBC123JDXV6T1

NSBC123JDXV6T1

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC115TDP6T5G

NSBC115TDP6T5G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123TDP6T5G

NSBC123TDP6T5G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC115TF3T5G

NSBC115TF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JDXV6T5

NSBC123JDXV6T5

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JPDXV6T1G

NSBC123JPDXV6T1G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JF3T5G

NSBC123JF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123TF3T5G

NSBC123TF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123EPDXV6T1

NSBC123EPDXV6T1

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JPDXV6T1

NSBC123JPDXV6T1

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC115TPDP6T5G

NSBC115TPDP6T5G

Popis: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JPDP6T5G

NSBC123JPDP6T5G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC115EDXV6T1G

NSBC115EDXV6T1G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123EDXV6T1

NSBC123EDXV6T1

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G

Popis: TRANS PREBIAS DUAL NPN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

Popis: SS SOT563 RSTR XSTR TR

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSBC123TPDP6T5G

NSBC123TPDP6T5G

Popis: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.