Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > NSB13211DW6T1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4762139NSB13211DW6T1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NSB13211DW6T1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Power - Max
    230mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NSB13211DW6T1G“.
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Popis: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Popis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Popis: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.