Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > NGTG20N60L2TF1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3477049NGTG20N60L2TF1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.96
30+
$2.504
120+
$2.134
510+
$1.753
1020+
$1.452
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NGTG20N60L2TF1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NGTG20N60L2TF1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.65V @ 15V, 20A
  • Zkušební podmínky
    300V, 20A, 30 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    60ns/193ns
  • přepínání energie
    -
  • Série
    -
  • Power - Max
    64W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3 Full Pack
  • Ostatní jména
    NGTG20N60L2TF1GOS
  • Provozní teplota
    175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    4 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    -
  • Gate Charge
    84nC
  • Detailní popis
    IGBT 600V 40A 64W Through Hole
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    105A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    40A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NGTG20N60L2TF1G“.
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Popis: IGBT 600V 60A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWG

Popis: IGBT 600V 100A 223W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Popis: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Popis: IGBT 600V 50A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Popis: IGBT 600V 60A 250W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Popis: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 40A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 25A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Popis: IGBT 650V 60A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 15A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.