Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > NGTG15N60S1EG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4589617NGTG15N60S1EG Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.42
50+
$1.205
100+
$0.99
500+
$0.818
1000+
$0.646
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NGTG15N60S1EG
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NGTG15N60S1EG.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.7V @ 15V, 15A
  • Zkušební podmínky
    400V, 15A, 22 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    65ns/170ns
  • přepínání energie
    550µJ (on), 350µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220
  • Série
    -
  • Power - Max
    117W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Ostatní jména
    NGTG15N60S1EG-ND
    NGTG15N60S1EGOS
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    88nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    120A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    30A

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NGTG15N60S1EG“.
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Popis: IGBT 600V 60A 250W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 15A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Popis: IGBT 600V 50A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 25A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Popis: IGBT 1200V 40A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWG

Popis: IGBT 600V 100A 223W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Popis: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Popis: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Popis: IGBT 650V 60A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Popis: IGBT 600V 60A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.