Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > NGTB75N65FL2WAG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3411420

NGTB75N65FL2WAG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
90+
$5.405
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NGTB75N65FL2WAG
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NGTB75N65FL2WAG.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    650V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Zkušební podmínky
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    23ns/157ns
  • přepínání energie
    610µJ (on), 1.2mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-4L
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    90ns
  • Power - Max
    536W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-4
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    Field Stop
  • Gate Charge
    310nC
  • Detailní popis
    IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    200A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    200A

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NGTB75N65FL2WAG“.
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Popis: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Popis: IGBT 50A 600V TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Popis: IGBT 600V 75A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Popis: IGBT 600V 120A 298W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Popis: 650V/60A IGBT FSII

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Popis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Popis: IGBT 600V 75A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Popis: IGBT 600V 50A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Popis: IGBT 600V 50A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Popis: IGBT 75A 600V TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Popis: IGBT 600V 50A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.