Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednoduché > MJ11015G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2041933MJ11015G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11015G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$4.36
10+
$3.913
100+
$3.206
500+
$2.73
1000+
$2.302
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MJ11015G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    MJ11015G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    120V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    4V @ 300mA, 30A
  • Transistor Type
    PNP - Darlington
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-204 (TO-3)
  • Série
    -
  • Power - Max
    200W
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    TO-204AA, TO-3
  • Ostatní jména
    MJ11015GOS
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    11 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    4MHz
  • Detailní popis
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 20A, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    1mA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    30A

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MJ11015G“.
MJ10R5FE-R52

MJ10R5FE-R52

Popis: RES 10.5 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ1071FE-R52

MJ1071FE-R52

Popis: RES 1.07K OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ1070FE-R52

MJ1070FE-R52

Popis: RES 107 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ10R0FE-R52

MJ10R0FE-R52

Popis: RES 10 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Popis: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ11016

MJ11016

Popis: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ11030

MJ11030

Popis: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Popis: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ1072FE-R52

MJ1072FE-R52

Popis: RES 10.7K OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ1100FE-R52

MJ1100FE-R52

Popis: RES 110 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ10R7FE-R52

MJ10R7FE-R52

Popis: RES 10.7 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ11016G

MJ11016G

Popis: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ11022

MJ11022

Popis: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ1073FE-R52

MJ1073FE-R52

Popis: RES 107K OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ11021

MJ11021

Popis: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ11012G

MJ11012G

Popis: TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ10R2FE-R52

MJ10R2FE-R52

Popis: RES 10.2 OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Popis: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Popis: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Popis: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.