Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDB14AN06LA0-F085

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

789034

FDB14AN06LA0-F085 Image.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB14AN06LA0-F085

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$2.18

10+

$1.968

100+

$1.582

Online poptávka

Specifikace

Part Number

FDB14AN06LA0-F085
Výrobce / značka

AMI Semiconductor/onsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

FDB14AN06LA0-F085.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

TO-263AB
Série

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 67A, 10V
Ztráta energie (Max)

125W (Tc)
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména

FDB14AN06LA0-F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

33 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

60V
Detailní popis

N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „FDB14AN06LA0-F085“.

FDB14N30TM

Popis: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB150N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB16AN08A0

Popis: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB20N50F

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB2532

Popis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB088N08

Popis: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Popis: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB088N08_F141

Popis: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB24AN06LA0

Popis: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB120N10

Popis: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB13AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB20AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB2532-F085

Popis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB110N15A

Popis: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB12N50TM

Popis: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB14AN06LA0

Popis: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB10AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB12N50UTM_WS

Popis: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB12N50FTM-WS

Popis: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDB15N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.