Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDB0190N807L
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4029598FDB0190N807L Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0190N807L

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
800+
$3.681
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FDB0190N807L
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FDB0190N807L.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263)
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 34A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Ostatní jména
    FDB0190N807LTR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    39 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    19110pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    249nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    8V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    N-Channel 80V 270A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    270A (Tc)

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FDB0190N807L“.
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Popis: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB-S

FDB-S

Popis: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Výrobci: Hirose
Na skladě
RFQ
FDB031N08

FDB031N08

Popis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB-GP

FDB-GP

Popis: CONN GUIDE PLATE

Výrobci: Hirose
Na skladě
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Popis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Popis: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Výrobci: Finisar Corporation
Na skladě
RFQ
FDB-1052

FDB-1052

Popis: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Výrobci: Finisar Corporation
Na skladě
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Popis: MOSFET N-CH 40V 460A

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Popis: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Výrobci: Finisar Corporation
Na skladě
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Popis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Popis: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Popis: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Popis: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Popis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB-P

FDB-P

Popis: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Výrobci: Hirose
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.