Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BUZ11_R4941
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3536141

BUZ11_R4941

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BUZ11_R4941
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.BUZ11_R4941.pdf
    2.BUZ11_R4941.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 15A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    75W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    50V
  • Detailní popis
    N-Channel 50V 30A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BUZ11_R4941“.
BUZ31HXKSA1

BUZ31HXKSA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31L

BUZ31L

Popis: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31 H3045A

BUZ31 H3045A

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ73

BUZ73

Popis: MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31L E3044A

BUZ31L E3044A

Popis: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31 E3046

BUZ31 E3046

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ32

BUZ32

Popis: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31

BUZ31

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ30A E3045A

BUZ30A E3045A

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ30AHXKSA1

BUZ30AHXKSA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31 E3045A

BUZ31 E3045A

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ30AH3045AATMA1

BUZ30AH3045AATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ31L H

BUZ31L H

Popis: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ10

BUZ10

Popis: MOSFET N-CH 50V 23A TO-220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
BUZ11-NR4941

BUZ11-NR4941

Popis: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
BUZ32 E3045A

BUZ32 E3045A

Popis: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ32 H

BUZ32 H

Popis: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ32H3045AATMA1

BUZ32H3045AATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BUZ30A

BUZ30A

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.