Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > W988D2FBJX6E
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4258692W988D2FBJX6E Image.Winbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
240+
$3.219
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    W988D2FBJX6E
  • Výrobce / značka
    Winbond Electronics Corporation
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    W988D2FBJX6E.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technika
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dodavatel zařízení Package
    90-VFBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    90-TFBGA
  • Provozní teplota
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    256Mb (8M x 32)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frekvence hodin
    166MHz
  • přístupová doba
    5.4ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „W988D2FBJX6E“.
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.