Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > W947D2HBJX5E
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5490678W947D2HBJX5E Image.Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5E

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
240+
$2.946
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    W947D2HBJX5E
  • Výrobce / značka
    Winbond Electronics Corporation
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    W947D2HBJX5E.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technika
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dodavatel zařízení Package
    90-VFBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    90-TFBGA
  • Provozní teplota
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    128Mb (4M x 32)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frekvence hodin
    200MHz
  • přístupová doba
    5ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „W947D2HBJX5E“.
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

Popis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Výrobci: Winbond Electronics Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.