Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHP30N60E-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6110006SIHP30N60E-GE3 Image.Vishay Siliconix

SIHP30N60E-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.16
10+
$5.534
25+
$5.232
100+
$4.534
250+
$4.302
500+
$3.86
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIHP30N60E-GE3
  • Výrobce / značka
    Vishay / Siliconix
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIHP30N60E-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Napětí - Test
    2600pF @ 100V
  • Vgs (th) (max) 'Id
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Série
    E
  • Stav RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    29A (Tc)
  • Polarizace
    TO-220-3
  • Ostatní jména
    SIHP30N60E-GE3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    21 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    SIHP30N60E-GE3
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    130nC @ 10V
  • Typ IGBT
    ±30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET Feature
    N-Channel
  • Rozšířený popis
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    -
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    600V
  • kapacitní Ratio
    250W (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIHP30N60E-GE3“.
SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Popis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Popis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.